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    為客戶提供全面的設備和工藝解決方案

    • 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設備

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    為客戶提供全面的設備和工藝解決方案
    AVP 電子束蒸鍍機 SYSTEM
    -制備高性能、高可靠性功能薄膜的關鍵設備
    -廣泛用于高熔點、高沸點材料處理,如蒸發鎢、鉬、鉭、氧化鋁等材料
    -附著力強、結構致密的高質量薄膜
    -實踐證明的可靠、低成本、高產能的薄膜沉積系統和工藝
    -制備高性能、高可靠性功能薄膜的關鍵設備
    -廣泛用于高熔點、高沸點材料處理,如蒸發鎢、鉬、鉭、氧化鋁等材料
    -附著力強、結構致密的高質量薄膜
    -實踐證明的可靠、低成本、高產能的薄膜沉積系統和工藝
    AVP IBE System
    - 廣泛適用所有材料刻蝕,包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。
    - 成熟、可靠、低成本、高產能、7/24連續運行的薄膜刻蝕系統
    - 歐美工業生產驗證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝
    - 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復性
    - 廣泛適用所有材料刻蝕,包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。
    - 成熟、可靠、低成本、高產能、7/24連續運行的薄膜刻蝕系統
    - 歐美工業生產驗證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝
    - 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復性
    - 純物理刻蝕,采用惰性氣體為工藝氣體,環保、無污染,應用廣泛
    AVP HR PVD System
    -高濃度離子輔助的傾角濺射(Directional Sputtering)
    -高速率反應濺射,如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
    -優異的薄膜厚度均勻性(1σ<1%),裹覆率(Step Coverage ~50%)
    -基片背面氦氣冷卻,基片溫度(<50°C)
    -高靶材使用率(>8
    -高濃度離子輔助的傾角濺射(Directional Sputtering)
    -高速率反應濺射,如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
    -優異的薄膜厚度均勻性(1σ<1%),裹覆率(Step Coverage ~50%)
    -基片背面氦氣冷卻,基片溫度(<50°C)
    -高靶材使用率(>80%)
    "支持與服務
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    "關于艾微普
    為客戶提供全面的設備和工藝解決方案
    專注打造世界先進水平的高端微納器件、半導體、及新能源加工設備
    公司由美國硅谷企業家團隊與國內著名上市企業天通公司(TDG)合作,在浙江海寧創立。公司聚集了多位海內外資深微納加工及半導體設備、工藝、材料專家,專注打造世界先進水平的高端微納器件、半導體、及新能源加工設備。

    公司的核心技術和產品包括物理氣相沉積/磁控濺射(PVD)、離子束刻蝕機(IBE)、反應離子刻蝕機(RIE)、電子束蒸鍍機等系列MEMS、半導體、新能源器件制造專用設備。公司自創立以來,已經獲得幾十項國家專利。
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    中國浙江省嘉興市海寧市海昌街道芯中路6號16幢
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